2019 年 6 月 20 日,美国新泽西州普林斯顿 --- 新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布进一步扩展 UF3C FAST 产品系列,新增采用 TO-247-4L 4 引脚 Kelvin Sense 分立封装选项的 1200V 高性能 SiC FET 器件。新产品 UF3C120150K4S 具有 150mΩ的典型导通电阻(RDS(on)),使 4 引脚 FAST 系列器件的总数达到 6 个,并将整个系列的导通电阻范围从 30mΩ一直延伸到最高至 150mΩ。
 
UF3C120150K4S 的最高工作温度达 175℃,具有出色的反向恢复、低栅极电荷和低固有电容。与标准的 3 引脚 TO-247 产品相比,具备 ESD ?;さ?HBM 2 级 TO-247-4L 封装可提供更快的开关速度和更清晰的栅极波形。 4 引脚 Kelvin 封装能够避免栅极振铃和误触发,这些通常需要限制开关速度以管理 3 引脚封装的较大共源电感。UF3C120150K4S 器件非常适用于电动汽车(EV)充电、光伏逆变器、开关模式电源、功率因数校正(PFC)???、电机驱动和感应加热(induction heating)等应用。
 
UnitedSiC 的新型 UF3C FAST SiC 系列现在共有 13 种器件,分别采用 TO-247-3L 和 TO-247-4L 封装,具有 1200V 和 650V 选项。该产品系列基于高效的“共源共栅”配置,能够以高功率密度封装提供非??焖俚目?,实现高功率器件解决方案。4 端子 Kelvin 封装可提供简单的螺钉或夹具安装,具有极低的结到壳(junction-to-case)热阻,能够充分利用 SiC 的高结温能力。
 
UnitedSiC 完整的 UJ3C 和 UF3C SiC FET 产品系列的独特之处在于其真正的“直接替代”功能。设计人员可以通过用 UnitedSiC FET 替代现有的 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件,并能够显著提高系统性能,而无需改变栅极驱动电压。
 
欲获取更多的数据手册信息,请访问:https://unitedsic.com/cascodes/。UnitedSiC 还可提供 SiC FET 用户指南,其中重点介绍使用 RC 缓冲器和快速开关 SiC 器件的实用解决方案和应用指南,请访问:https://bit.ly/2wKNLhs。 
 
价格和供货信息
以 1000 片最小批量计,UF3C120150K4S 单价为 6.14 美元。贸泽电子(Mouser)和其他当地分销商可提供库存。