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    好彩一开奖结果: UnitedSiC在UF3C “FAST” FET产品系列中 新增4引脚Kelvin器件

    2019-06-21 07:22:00 来源:EEFOCUS
    标签:
    2019年6月20日,美国新泽西州普林斯顿 --- 新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布进一步扩展UF3C FAST产品系列,新增采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense分立封装选项的1200V高性能SiC FET器件。新产品UF3C120150K4S具有150mΩ的典型导通电阻(RDS(on)),使4引脚FAST系列器件的总数达到6个,并将整个系列的导通电阻范围从30mΩ一直延伸到最高至150mΩ。
     
    UF3C120150K4S的最高工作温度达175℃,具有出色的反向恢复、低栅极电荷和低固有电容。与标准的3引脚TO-247产品相比,具备ESD?;さ腍BM 2级TO-247-4L封装可提供更快的开关速度和更清晰的栅极波形。 4引脚Kelvin封装能够避免栅极振铃和误触发,这些通常需要限制开关速度以管理3引脚封装的较大共源电感。UF3C120150K4S器件非常适用于电动汽车(EV)充电、光伏逆变器、开关模式电源、功率因数校正(PFC)???、电机驱动和感应加热(induction heating)等应用。
     
    UnitedSiC的新型UF3C FAST SiC系列现在共有13种器件,分别采用TO-247-3L和TO-247-4L封装,具有1200V和650V选项。该产品系列基于高效的“共源共栅”配置,能够以高功率密度封装提供非??焖俚目?,实现高功率器件解决方案。4端子Kelvin封装可提供简单的螺钉或夹具安装,具有极低的结到壳(junction-to-case)热阻,能够充分利用SiC的高结温能力。
     
    UnitedSiC完整的UJ3C和UF3C SiC FET产品系列的独特之处在于其真正的“直接替代”功能。设计人员可以通过用UnitedSiC FET替代现有的Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结器件,并能够显著提高系统性能,而无需改变栅极驱动电压。
     
    欲获取更多的数据手册信息,请访问:https://unitedsic.com/cascodes/。UnitedSiC 还可提供SiC FET用户指南,其中重点介绍使用RC缓冲器和快速开关SiC器件的实用解决方案和应用指南,请访问:https://bit.ly/2wKNLhs。 
     
    价格和供货信息
    以1000片最小批量计,UF3C120150K4S单价为6.14美元。贸泽电子(Mouser)和其他当地分销商可提供库存。
     
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